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E3S网页汇编
卷积882019
i-Dust2018-Droit地下科技 |
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文章号 | 05002 | |
页数 | 8 | |
段内 | 微电子设备系统 | |
多尔市 | https://doi.org/10.1051/e3sconf/20198805002 | |
在线发布 | 2019年2月22日 |
双电泄漏现象全局建模法
一号Aix-Marseille大学、IM2NP、CNRS、UM734、rue Enrico Fermi
2阿维尼翁大学、EMMAH、UM1114、INRA-UAPV、301ruch de Spinoza
3LSBB、UMS3538、UNS/UAPV/CNRS/AMU、LaGrandeCombe
*电子邮件:jeremy.postel-pellerin@im2np.fr
由于其低噪声水平,LSB环境提供特殊环境进行高质量电气特征描述论文中建议完全建模方法 实验结果从实验微电子搭建测试设备为MeticOxide半导体浮动门电容器,可在静电非挥发性存储器中找到,如Flash中心思想是描述并建模流出二氧化隧道前一工作建议电荷损耗模型,考虑分片波松过程,只包含两个参数,表现为Mittag-Leffler函数并基于管道效果传输二氧化物, 提议Fowler-Nordhem和Poole-Frenkel模型组合处理渗漏流流出流以中长时间尺度计算,而ML模型可考虑较短时间步视角是查找这些不同模型之间的关系,这些模型在不同领域使用,以提出复杂多孔材料在不同时间尺度和空间渗漏现象泛型模型
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