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卷积4012023
第五国际科学会议“构造机械学、水力学和水资源工程”(COMECHYDRO-2023) |
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文章号 | 03062 | |
页数 | 11 | |
段内 | 路建结构材料 | |
多尔市 | https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340103062 | |
在线发布 | 2023年7月11日 |
温度传感器上潜在分布p-n交叉二极管并任意使用基区
一号乌兹别克斯坦共和国科学院物理技术学院,乌兹别克斯坦塔什干
2乌兹别克斯坦塔什干国立研究大学Tashkent灌溉和农业机械化工程师学院
3乌兹别克斯坦国立大学半导体物理和微电子研究所,乌兹别克斯坦塔什干
4FOTON股份公司,乌兹别克斯坦塔什干
In p-n-junction temperature sensors connected in the forwardbiased, the temperature dependence of the built-in potential is important, while in the reverse biased p-n-junction temperature sensors, it is necessary to study the temperature dependence of the built-in potential and space-charge region width.For this case, as well as for homogeneous and gradient alloyed cases, the temperature dependence of built-in potential and space-charge region widthare studied and mathematical analysis is presented for these cases.Based on these mathematical analysis, the results are obtained for cases where the base region of p-n-junction temperature sensors is doped at different concentrations with a homogeneous or inhomogeneous distributions of impurities.众所周知,在传统温度传感器中,当主电流机制由空间充电区生成重组过程决定时,空间充电区宽度依赖温度可影响传感器温度响应曲线的直线性,宜提高基区用药率以削弱这一效果,或有必要使用p-n连接点
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