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卷积4132023
十六届国际科学实用会议“农业企业开发状况和前景-INTERAGROASH2023 |
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文章号 | 0408 | |
页数 | 8 | |
段内 | 绿色化学和可持续技术 | |
多尔市 | https://doi.org/10.1051/e3sconf/202341304008 | |
在线发布 | 2023年8月11日 |
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4130408 (2023年)
参数对nCdS-pSi异位结构过渡能力的影响
一号国家研究大学TIIAME,Kori Nioziy str.,10万乌兹别克斯坦塔什干
2Akfa大学Milly Bog街264,111221乌兹别克斯坦塔什干
3塔什干州土地大学街2号,乌兹别克斯坦塔什干100140
4塔什干州交通大学Adilhodjaeva街1100067乌兹别克斯坦塔什干
5塔什干州技术大学Kokand分校U.Nasir街4号乌兹别克斯坦Kokand
6半导体物理和微电子科学研究院,乌兹别克斯坦国立大学,100174塔什干
*对应作者 :mhim@inbox.ru
研究电容和电容依赖光底参数非常重要文章中,我们研究NCdSpSi外壳结构堆积式n+CdS层,厚度约50°C并吞n+CdS层面上 并存3mm2区域
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